DS1307N

型号：

DS1307N

制造商：

HGSEMI(华冠)

客户编号:

型号描述：

一款低功耗、带 56 个字节用户非易失性 SRAM（NV SRAM）、全 BCD 码的时钟/日历电路

文件规格书:

DS1307N

规格

产品属性

属性值

Packaging：

Tube

Part Status：

Obsolete

Type：

Clock/Calendar

Features：

Leap Year, NVSRAM, Square Wave Output

Memory Size：

56B

Time Format：

HH:MM:SS (12/24 hr)

Date Format：

YY-MM-DD-dd

Interface：

I²C, 2-Wire Serial

Voltage - Supply：

4.5V ~ 5.5V

Voltage - Supply, Battery：

2V ~ 3.5V

Current - Timekeeping (Max)：

200µA @ 5V

Operating Temperature：

-40°C ~ 85°C

Mounting Type：

Through Hole

Package / Case：

8-DIP (0.300", 7.62mm)

Supplier Device Package：

8-PDIP

Base Part Number：

DS1307

客户还购买了

型号

型号描述

库存

DS1302CDRG

具有涓细电流充电能力的低功耗实时时钟芯片

10000

DS1302IDRG

具有涓细电流充电能力的低功耗实时时钟芯片

10000

DS1302M/TR

民用级具有涓细电流充电能力的低功耗实时时钟芯片

19990

DS1302N

民用级具有涓细电流充电能力的低功耗实时时钟芯片

10000

DS1302ZM/TR

工业级具有涓细电流充电能力的低功耗实时时钟芯片

19990

DS1302ZN

工业级具有涓细电流充电能力的低功耗实时时钟芯片

10000

DS1307CDRG

低功耗、两线制串行读写接口、日历和时钟数据按BCD码存取的时钟/日历芯片

10000

DS1307IDRG

低功耗、两线制串行读写接口、日历和时钟数据按BCD码存取的时钟/日历芯片

10000

DS1307M/TR

一款低功耗、带 56 个字节用户非易失性 SRAM（NV SRAM）、全 BCD 码的时钟/日历电路

19990

DS1307ZM/TR

一款低功耗、带 56 个字节用户非易失性 SRAM（NV SRAM）、全 BCD 码的时钟/日历电路

19990

有库存: 10000

库存

10000

交期（工作天）

起订量： 10 倍增量： 1

数量：

单价：

¥1.55

总价:

¥15.500

数量

单价

总价

10+

¥1.55

¥15.5

100+

¥1.43

¥143

500+

¥1.38

¥690

1000+

¥1.25

¥1250

2000+

¥1.18

¥2360

最新产品

DS1307N

DS1307N

HGSEMI(华冠)

规格

客户还购买了

有库存: 10000

最新产品

B0505S-1WR3

LM2576S-5.0/TR

HG8551CM/TR

HG8552CM/TR

HG9910M/TR

HGA1040M/TR

HGA1050M/TR

HGA2330MM/TR

HGA2333M/TR

HGA2330M/TR